S1X [DIOTEC]
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes; 表面贴装型硅整流二极管
| 型号： | S1X |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface Mount Silicon Rectifier Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：110K) |
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S1A ... S1Y
S1A ... S1Y
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-05-31
Nominal current – Nennstrom
1 A
5± 0.2
Plastic case
~ SMA
Kunststoffgehäuse
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.07 g
1± 0.3
0.15
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Type
Typ
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
4.5± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics 1)
Grenz- und Kennwerte 1)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 100°C
Type
Typ
(Repetitive) Peak reverse voltage
(Periodische-)Spitzensperrspannung Durchlass-Spannung
Forward voltage
VRRM [V] / VRSM [V]
VF [V] @ IF = 1A
< 1.1
IR [µA] @ VRRM
IR [µA] @ VRRM
< 50
S1A
S1B
S1D
S1G
S1J
50
100
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 5
< 1.1
< 50
200
< 1.1
< 50
400
< 1.1
< 50
600
< 1.1
< 50
S1K
S1M
S1T
S1W
S1X
S1Y
800
< 1.1
< 50
1000
1300
1600
1800
2000
< 1.1
< 50
< 1.1
< 50
< 1.1
< 50
< 1.1
< 50
< 1.1
< 50
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
IFRM
IFSM
6 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
30/32 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität
TA = 25°C
VR = 4 V
i2t
Cj
4.5 A2s
typ. 12 pF
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthA
RthT
< 70 K/W 2)
< 30 K/W
1
2
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
S1A ... S1Y
102
120
[%]
[A]
10
100
80
Tj = 125°C
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
30a-(1a-1.1v)
10-2
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TT
100
150
50
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
102
100
[%]
[µA]
101
Tj = 125°C
Tj = 100°C
1
10
10-1
ZthA
RthA
Tj = 25°C
IR
102
[tp]
103
1
0.01 [s]
0.1
1
10
10-2
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
VRRM
[%]
100
0
40
60
80
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
25
102
[A]
[pF]
20
15
10
5
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Cj
0
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
VR
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
2
http://www.diotec.com/
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