PBY307R [DIOTEC]
暂无描述;
| 型号： | PBY307R |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | 暂无描述 整流二极管 IOT |
| 文件： | 总2页 (文件大小：127K) |
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1N1183 ... 1N1190, 1N3766, 1N3768, PBY301 ... PB307
1N1183 ... 1N1190, 1N3766, 1N3768,
PBY301 ... PB307
Silicon-Power-Rectifiers
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Version 2007-05-09
Nominal Current
Nennstrom
35 A
50 ... 1000 V
DO-5
13.6
Ø 4+0.5
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case
Metallgehäuse
Type
Weight approx.
Gewicht ca.
6 g
SW17
M6
Standard polarity: Cathode to stud / Kathode am Gewinde
Index R: Anode to stud / Anode am Gewinde (e. g. 1N1183R)
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N1183 = PBY301
1N1184 = PBY302
1N1186 = PBY303
1N1188 = PBY304
1N1190 = PBY305
1N3766 = PBY306
1N3768 = PBY307
50
100
200
400
600
800
1000
60
120
240
480
720
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
35 A
110 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
450/500 A
1000 A2s
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+175°C
-65...+175°C
1
Max. case temperature TC = 100°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N1183 ... 1N1190, 1N3766, 1N3768, PBY301 ... PB307
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 100 A
Tj = 25°C VR = VRRM
VF
IR
< 1.5 V
< 500 µA
< 1 K/W
Leakage Current – Sperrstrom
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
M6
Recommended mounting torque
Empfohlenes Anzugsdrehmoment
26 ± 10% lb.in.
3 ± 10% Nm
103
120
[%]
[A]
102
100
80
60
40
20
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10
1
IF
IFAV
0
450a-(100a-1,5v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TC
100
150
50
[°C]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
103
[A]
102
îF
10
1
10
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
102
[n]
103
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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