MMBTA94 [DIOTEC]
Surface mount High Voltage Transistors; 表面贴装高压晶体管
| 型号： | MMBTA94 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface mount High Voltage Transistors |
| 文件： | 总2页 (文件大小：103K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
MMBTA94
MMBTA94
Surface mount High Voltage Transistors
Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage
PNP
PNP
Version 2011-09-01
Power dissipation
200 mW
Verlustleistung
2.9±0.1
1.1
0.4
3
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
Type
Code
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
2
1
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9
Dimensions / Maße [mm]
1 = B 2 = E 3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA94
400 V
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
400 V
6 V
200 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
300 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-55...+150°C
-55…+150°C
Tj
TS
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100 nA
100 nA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 300 V
- ICB0
–
–
–
–
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IC = 0, - VEB = 4 V
- IEB0
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
- IC = 10 mA, - IB = 1 mA
- IC = 50 mA, - IB = 5 mA
- VCEsat
- VCEsat
–
–
–
–
500 mV
750 mV
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
- IC = 10 mA, - IB = 1 mA
- VBEsat
–
–
750 mV
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MMBTA94
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- VCE = 10 V, - IC = 1 mA
- VCE = 10 V, - IC = 10 mA
- VCE = 10 V, - IC = 30 mA
hFE
hFE
hFE
100
40
25
–
–
–
–
–
–
Collector-Base capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- VCB = 20 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
MMBTA92
CCBO
RthA
–
–
7 pF
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
< 500 K/W 1)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MMBTA44
Marking - Stempelung
MMBTA94 =
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明