KBPC5004FP [DIOTEC]
Silicon-Bridge-Rectifiers; 硅桥式整流器
| 型号： | KBPC5004FP |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Bridge-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：223K) |
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KBPC5000FP ... KBPC5012FP
KBPC5000FP ... KBPC5012FP
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2008-10-29
Nominal current
Nennstrom
50 A
35...800 V
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
16.6±0.5
Ø 5.2
6.7
+
7.3
+
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
17 g
Weight approx.
Gewicht ca.
21.6±1
18.1±0.5
28.6±0.2
=
=
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
KBPC5000FP
KBPC5001FP
KBPC5002FP
KBPC5004FP
KBPC5006FP
KBPC5008FP
KBPC5010FP
KBPC5012FP
35
70
50
100
140
280
420
560
700
800
200
400
600
800
1000
1200
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
i2t
90 A 2)
400/450 A
800 A2s
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KBPC5000FP ... KBPC5012FP
Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
50 A
46 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 25 A
VR = VRRM
VF
< 1.1 V 2)
IR
< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
VISO
> 2500 V
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
RthC
< 1.2 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
103
120
[%]
[A]
102
100
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
IF
20
IFAV
0
400a-(25a-1,1v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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