KBPC3501WP [DIOTEC]
Silicon-Bridge-Rectifiers; 硅桥式整流器
| 型号： | KBPC3501WP |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Bridge-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：337K) |
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KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP
KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2007-11-05
Type “FP“
Nominal current
Nennstrom
35 A
16.6±0.5
Ø 5.2
6.7
+
7.3
+
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...900 V
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden
21.6±1
18.1±0.5
28.6±0.2
=
=
Dimensions
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
17 g
Abmessungen
Type “WP“
11.6±0.5
Weight approx.
Gewicht ca.
7.3
+
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
+
Ø 5.2
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
18±0.5
28.6±0.2
=
=
min. 30
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
KBPC3500FP/WP
KBPC3501FP/WP
KBPC3502FP/WP
KBPC3504FP/WP
KBPC3506FP/WP
KBPC3508FP/WP
KBPC3510FP/WP
KBPC3512FP/WP
KBPC3514FP/WP
35
70
50
100
140
280
420
560
700
800
900
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
Valid per diode – Gültig pro Diode
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP
Maximum ratings
Grenzwerte
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
i2t
80 A 1)
375/400 A
660 A2s
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C R-load
IFAV
IFAV
35 A
28 A
C-load
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C IF = 17.5 A VF
< 1.1 V 2)
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
< 25 µA
Isolation voltage terminals to case
VISO
> 2500 V
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
RthC
< 1.5 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
103
120
[%]
[A]
102
100
80
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10
60
40
1
IF
20
IFAV
0
375a-(17.5a-1.1v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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