GBU12A-T [DIOTEC]
Bridge Rectifier Diode,;
| 型号： | GBU12A-T |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Bridge Rectifier Diode, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：161K) |
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GBU12A ... GBU12M
IFAV = 12 A
VF < 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 270/300 A
GBU12A ... GBU12M
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
trr
~ 1500 ns
Version 2019-11-25
Typical Application
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
GBU
Commercial grade 1)
Standardausführung 1)
21.5±0.7
3.6±0.2
Features
Besonderheit
UL-anerkannt, Liste E175067
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
3.4±0.1
UL recognized, File E175067
For free-standing or
heatsink assembly
R
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
V
GBU ...
–
+
~
~
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
2.2
0.5+0.1
1.8+0.7
1.8+0.2
Bulk in cardboard trays
Suffix -T: packed in tubes
1000
20/1000
Lose in Einlagekartons
Suffix -T: verpackt in Stangen
+0.2
- 0.1
1.1
Weight approx.
Case material
3.8 g
Gewicht ca.
Gehäusematerial
5.08
UL 94V-0
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions 260°C/10s
MSL N/A
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
GBU12A
GBU12B
GBU12D
GBU12G
GBU12J
GBU12K
GBU12M
35
70
50
100
200
400
600
800
1000
140
280
420
560
700
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load
8.4 A 5)
TA = 40°C
IFAV
7.4 A 5)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
R-load
C-load
12.0 A
9.6 A
TC = 100°C
f > 15 Hz
IFAV
IFRM
IFSM
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
60 A 5)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
270 A
300 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral
t < 10 ms
i2t
375 A2s
Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-50...+150°C
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
M3
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
3
4
5
Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten
1
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
GBU12A ... GBU12M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time – Sperrverzug
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 12 A
VR = VRRM
VF
IR
trr
Cj
< 1.0 V 1)
< 5 µA 1)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
typ. 1500 ns 1)
120 pF 1)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
VR = 4 V
Typical thermal resistance junction to ambient (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
RthA
RthC
18 K/W 2)
Typical thermal resistance junction to case (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
2.7 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
Empf. Schutzwiderstand
Rt 3)
Rt [Ω] 3)
GBU12A
GBU12B
GBU12D
GBU12G
GBU12J
GBU12K
GBU12M
0.2
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
~
+
0.4
_
0.8
4)
~
CL
1.6
2.4
3.2
4.0
103
120
[%]
[A]
102
100
80
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10
60
40
1
IF
20
IFAV
0
270a-(12a-1v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TC
100
150
50
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3
4
Rt = VRRM / IFSM
CL = 5 ms / Rt
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2
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