FE1F [DIOTEC]
Superfast Silicon Rectifiers; 超快整流器硅
| 型号： | FE1F |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Superfast Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：156K) |
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FE 1A … FE 1G
Superschnelle Silizium Gleichrichter
Superfast Silicon Rectifiers
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…400 V
Plastic case
DO-15
Kunststoffgehäuse
DO-204AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
FE 1A
FE 1B
FE 1D
FE 1F
FE 1G
50
50
100
200
300
400
100
200
300
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
1 A 1)
10 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
4.5 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+175ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
124
28.02.2002
FE 1A … FE 1G
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 1 A
VF
IR
< 0.95 V
< 2 ꢀA
<50 ns
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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