ESD5Z12 [DIOTEC]
Trans Voltage Suppressor Diode, 240W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,;
| 型号： | ESD5Z12 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Trans Voltage Suppressor Diode, 240W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, 二极管 |
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ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
PPPM = 158 ... 240 W VWM = 3.3 ... 12 V
Tjmax = 150°C
VBR = 5 ... 14.1 V
VPP1 = ± 30 kV
ESD Protection Diodes in SMD
ESD-Schutzdioden in SMD
Version 2016-12-14
Typical Applications
ESD protection
Typische Anwendungen
ESD-Schutz
SOD-523
Data line and I/O port
protection
Schutz von Datenleitungen
und Ein-/Ausgängen
Standardausführung 1)
1.2
Commercial grade 1)
Features
Besonderheiten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Low junction capacitance
Low leakage current
Miniature case outline
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Miniatur-Gehäusebauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
R
Type
Code
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
1.6
Taped and reeled
4000 / 7“
0.01 g
Gegurtet auf Rolle
Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Type Code see next page
Type Code siehe nächste Seite
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)
ESD5Z3V3
ESD5Z5V0
ESD5Z6V0
ESD5Z12
158 W 3)
174 W 3)
PPPM
181 W 3)
240 W 3)
11.2 A 3)
Peak pulse power current (8/20 µs waveform)
Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)
ESD5Z3V3
ESD5Z5V0
ESD5Z6V0
ESD5Z12
9.4 A 3)
IPPM
8.8 A 3)
9.6 A 3)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Ptot
VPP
VPP
200 mW 4)
ESD immunity (HBM, air discharge)
ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung)
JESD-A114D
± 30 kV
ESD immunity (contact discharge)
ESD-Festigkeit (Kontaktentladung)
IEC 61000-4-2
± 16 kV
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 400 K/W 4)
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ESD5Z3V3 ... ESD5Z12
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
Type
Code
Junction capacitance Stand-off voltage Max. rev. current Breakdown voltage
Max. clamping voltage
Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Sperrspannung
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Abbruch-Spannung Max. Begrenzer-Spannung
IT = 1 mA
VBR min [V]
5.0
at / bei IPPM (8/20 µs)
ESD5Z...
...3V3
...5V0
...6V0
...12
Cj [pF]
typ. 105
typ. 80
typ. 70
typ. 55
VWM [V]
3.3
5.0
6
ID [µA]
0.05
VC [V]
8.4
IPPM [A]
ZE
05
06
12
5
5
5
5
0.05
6.2
11.6
12.4
17.0
0.01
6.8
12
0.01
14.1
120
[%]
tr = 8 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
PPPM/2
40
40
IPP
20
Ptot
20
PPP
tP
t
0
0
0
0
20
40
60 [µs]
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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