DAN208 [DIOTEC]
Silicon-Twin Diodes Center tap; 硅二极管双中心抽头型号: | DAN208 |
厂家: | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
描述: | Silicon-Twin Diodes Center tap |
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DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)
Silicon-Twin Diodes
Center tap
Silizium-Doppeldioden
Mittelpunktschaltung
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
1.2 W
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
150 V
3 Pin-Plastic case
8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
3 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging: bulk
0.6 g
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton
s. Seite 22
Dimensions / Maße in mm
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
DAN 208
DAP 208
100
150
150
100
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
TA = 25ꢀC
TU = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFAV
1.0 A 1)
2.0 A 1)
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
IFAV
IFAV
1.0 A 1)
2.0 A 1)
bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
10 A
1
)
Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
354
28.02.2002
DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+150ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 1 A
VF
IR
< 1.2 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
VR = 100 V
< 10 ꢀA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 2)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
)
Valid for one diode – Gültig für eine Diode
Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
2
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
355
28.02.2002
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