DAN208 [DIOTEC]

Silicon-Twin Diodes Center tap; 硅二极管双中心抽头
DAN208
型号: DAN208
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Silicon-Twin Diodes Center tap
硅二极管双中心抽头

二极管
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DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)  
Silicon-Twin Diodes  
Center tap  
Silizium-Doppeldioden  
Mittelpunktschaltung  
Nominal power dissipation  
Nenn-Verlustleistung  
1.2 W  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
150 V  
3 Pin-Plastic case  
8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]  
3 Pin-Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Standard packaging: bulk  
0.6 g  
see page 22  
Standard Lieferform: lose im Karton  
s. Seite 22  
Dimensions / Maße in mm  
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden  
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
VRRM [V]  
DAN 208  
DAP 208  
100  
150  
150  
100  
Max. average forward rectified current, R-load,  
for one diode operation only  
TA = 25C  
TU = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFAV  
1.0 A 1)  
2.0 A 1)  
for simultaneous operation  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,  
für eine einzelne Diode  
IFAV  
IFAV  
1.0 A 1)  
2.0 A 1)  
bei gleichzeitigem Betrieb  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
IFSM  
10 A  
1
)
Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case  
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten  
354  
28.02.2002  
DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
TS – 50…+150C  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage  
Durchlaßspannung  
Tj = 25C  
Tj = 25C  
IF = 1 A  
VF  
IR  
< 1.2 V 1)  
Leakage current  
Sperrstrom  
VR = 100 V  
< 10 A  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
1
)
)
Valid for one diode – Gültig für eine Diode  
Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case  
2
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten  
355  
28.02.2002  

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