BZV58C36 [DIOTEC]
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology); 硅电源-Z-二极管（非平面技术）
| 型号： | BZV58C36 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) |
| 文件： | 总3页 (文件大小：118K) |
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BZV58 C8V2 … BZV58 C200 (5 W)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
(flächendiffundierte Dioden)
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
5 W
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
8.2…200 V
~ DO-201
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
Ptot
PZSM
Tj
5.0 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthL
< 25 K/W 1)
< 8 K/W
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
Zener voltages see table on next page
Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
218
28.02.2002
BZV58 C8V2 … BZV58 C200 (5 W)
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Test
current
Meßstrom
Dyn. resistance Temp. Coeffiz. Reverse volt. Z-current 1)
Zener-Spanng.2)
IZ = IZtest
Diff. Widerst.
Iztest / 1 kHz
rzj [ꢀ]
of Z-voltage
…der Z-spanng.
ꢁVZ [10-4/ꢀC]
Sperrspanng.
IR = 1 ꢂA
VR [V]
Z-Strom 1)
TA = 50ꢀC
I
VZmin [V] VZmax IZtest [mA]
Zmax [mA]
570
520
470
430
390
350
320
290
260
235
215
195
170
155
140
130
120
110
100
92
BZV58 C 8.2
BZV58 C 9.1
BZV58 C 10
BZV58 C 11
BZV58 C 12
BZV58 C 13
BZV58 C 15
BZV58 C 16
BZV58 C 18
BZV58 C 20
BZV58 C 22
BZV58 C 24
BZV58 C 27
BZV58 C 30
BZV58 C 33
BZV58 C 36
BZV58 C 39
BZV58 C 43
BZV58 C 47
BZV58 C 51
BZV58 C 56
BZV58 C 62
BZV58 C 68
BZV58 C 75
BZV58 C 82
BZV58 C 91
BZV58 C 100
BZV58 C 110
BZV58 C 120
BZV58 C 130
BZV58 C 150
BZV58 C 160
BZV58 C 180
BZV58 C 200
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
8.7
9.6
150
150
125
125
100
100
75
75
65
65
50
50
50
40
40
30
30
30
25
25
20
20
20
20
15
15
12
12
10
10
8
< 1.5
< 2
+3…+8
+3…+8
> 3 (7.5ꢀA)
>6.6 (7.5ꢀA)
> 7.6 (5ꢀA)
> 8.3 (5ꢀA)
> 9.1 (2ꢀA)
> 9.9
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
< 2
+5…+9
< 2.5
< 2.5
< 2.5
< 2.5
< 2.5
< 2.5
< 3
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
> 11.4
> 12.2
> 13.7
> 15.2
> 16.7
> 18.2
> 20.5
> 22.8
> 25
< 3.5
< 3.5
< 5
< 8
31
35
< 10
< 11
< 14
< 20
< 25
< 27
< 35
< 42
< 44
< 50
< 65
< 75
< 90
< 125
< 170
< 190
< 250
< 300
< 350
< 450
34
38
> 27.4
> 29.6
> 32.7
> 35.7
> 38.8
> 42.5
> 47.1
> 51.7
> 57
37
41
40
46
44
50
48
54
52
60
83
58
66
75
64
72
69
70
79
63
77
88
> 62.4
> 69.2
> 76
57
85
96
52
94
106
116
127
141
156
171
191
212
47
104
114
124
138
153
168
188
> 83.5
> 91.2
> 98.8
> 114
43
39
35
32
8
> 122
29
5
> 137
26
5
> 152
23
1
2
)
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
219
28.02.2002
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