BY4_07 [DIOTEC]
High Voltage Si-Rectifiers; 高压硅整流器
| 型号： | BY4_07 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | High Voltage Si-Rectifiers |
| 文件： | 总1页 (文件大小：46K) |
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BY4 ... BY16
BY4 ... BY16
High Voltage Si-Rectifiers
Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Version 2006-09-07
Nominal current
Nennstrom
1 A ... 0.3 A
4000...16000 V
Ø 6.3 x 21 [mm]
1.9 g
6.3
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging bulk
Standard Lieferform ungegurtet
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current
Forward volt.
Durchlass-Spg.
VF [V] 2)
Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg.
RRM [V] RSM [V]
Dauergrenzstrom
V
V
I
FAV [A] 1)
1.0
BY4
4000
6000
4000
6000
< 4.0
< 6.0
BY6
1.0
BY8
8000
8000
0.5
< 8.0
BY12
BY16
12000
16000
12000
16000
0.5
< 10.0
< 15.0
0.3
Leakage Current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
< 1 µA
< 25 µA
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
TA = 25°C
IFSM
100 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
i2t
50 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
At / Bei IFAV,Tj = 25°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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