BCP56 [DIOTEC]

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors; 表面贴装硅外延PlanarTransistors


型号：	BCP56
厂家：	DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述：	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors 表面贴装硅外延PlanarTransistors 晶体晶体管开关光电二极管
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BCP 54, BCP 55, BCP 56

General Purpose Transistors

NPN

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

6.5^±0.2

3^±0.1

Power dissipation – Verlustleistung

1.3 W

1.65

Plastic case

SOT-223

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.04 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

0.7

2.3

3.25

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2, 4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BCP 54

45 V

BCP 55

60 V

BCP 56

80 V

100 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

T_j

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

1.3 W ¹)

1 A

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Collector current – Koll.-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

1.5 A

200 mA

150ꢀC

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 30 V

I_CB0

–

100 nA

10 ꢀA

I_E= 0, V_CB= 30 V, T_j= 125ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, V_EB= 5 V

I_EB0

–

100 nA

500 mV

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_CEsat

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

General Purpose Transistors

BCP 54, BCP 55, BCP 56

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ¹)

BCP 5x-6

BCP 5x-10

BCP 5x-16

h_FE

100

–

100

160

250

–

V_CE= 2 V, I_C= 150 mA

V_CE= 2 V, I_C= 5 mA

V_CE= 2 V, I_C= 500 mA

BCP 54...

BCP56

–

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ¹)

V_CE= 2 V, I_C= 500 mA

V_BEon

–

1 V

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA, f = 100 MHz

DC current gain ratio of the complement. pairs

Verhältnis der Stromverst. complement. Paare

f_T

–

130 MHz

–

h_FE1ꢀh_FE2

1.6

Thermal resistance – Wärmewiderstand

junction to ambient air – Sperrschicht zu umgebender Luft

junction to soldering point – Sperrschicht zu Lötpad

R_thA

R_thS

95 K/W ²)

14 K/W

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BCP 51, BCP 52, BCP 53

)

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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