BAV101 [DIOTEC]
Ultrafast Switching Surface Mount Si-Rectifiers; 超快开关表面贴装硅整流器
| 型号： | BAV101 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Ultrafast Switching Surface Mount Si-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：135K) |
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BAV 100 … BAV 103
Ultrafast Switching
Surface Mount Si-Rectifiers
Ultraschnelle Si-Gleichrichter
für die Oberflächenmontage
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
0.2 A
50…300 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case MiniMELF
SOD-80
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
see page 18
siehe Seite 18
Dimensions / Maße in mm
Marking:
One green ring denotes “cathode” and “ultrafast switching device”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Kennzeichnung: Ein grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “ultraschneller Gleichrichter”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
BAV 100
BAV 101
BAV 102
BAV 103
50
100
200
300
50
100
200
300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
IFAV
200 mA 1)
Max. power dissipation – Verlustleistung
TA = 50ꢀC
TA = 25ꢀC
Ptot
500 mW 1)
500 mA
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
– 50...+175ꢀC
– 50...+175ꢀC
1
)
Max. temperature of the terminals TT = 100ꢀC – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100ꢀC
134
28.02.2002
BAV 100 … BAV 103
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IF = 0.2 A
VF
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
VR = VRRM
IR
IR
< 5 ꢀA
< 50 ꢀA
TA = 125ꢀC VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
RthA < 150 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 70 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche
1
)
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
135
28.02.2002
相关型号：
BAV101/T3
DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN, Signal Diode
NXP
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