BAT54SW [DIOTEC]
Surface mount Schottky-Barrier Double-Diodes; 表面贴装肖特基势垒双二极管
| 型号： | BAT54SW |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface mount Schottky-Barrier Double-Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：85K) |
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BAT54W ...AW ...CW ...SW
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Double-Diodes
Schottky-Barrier Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 21.01.2004
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
30 V
2±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1±0.1
0.3
3
Type
Code
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-323
0.01 g
1
2
1.3
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings (TA = 25ꢀC)
Grenzwerte (TA = 25ꢀC)
per diode / pro Diode
IFAV
BAT54W-series
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
200 mA 1)
300 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ꢀ 10 ms IFSM
1 A
8 A
tp ꢀ 5 ꢀs
IFSM
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
125ꢀC
TS
- 55…+ 150ꢀC
Characteristics (Tj = 25ꢀC)
Kennwerte (Tj = 25ꢀC)
Forward voltage - Durchlaßspannung 2)
IF = 0.1 mA
IF = 1 mA
VF
VF
VF
VF
VF
IR
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 650 mV
< 2 ꢀA
IF = 10 mA
IF = 30 mA
IF = 100 mA
VR = 25 V
VR = 30 V
Leakage current - Sperrstrom 2)
IR
< 3 ꢀA
1
2
)
)
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
Tested with pulses tp = 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%
1
Schottky-Diodes
BAT54W ...AW ...CW ...SW
Characteristics (Tj = 25ꢀC)
Kennwerte (Tj = 25ꢀC)
Max. junction Capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 1 Vdc, f = 100 kHz ... 1 MHz
CT
10 pF
Reverse recovery time - Sperrverzug
trr
< 5 ns
IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA
Critical rate of rise of voltage
dv/dt
RthA
10000 V/ꢀs
620 K/W 1)
Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Outline – Gehäuse
Pinning – Anschlußbelegung
Single diode – Einzeldiode
1 = A 2 = n.c. 3 = K
Marking – Stempelung
3
BAT54W = L4
or / oder KL1
1
1
1
1
2
2
2
2
3
3
3
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeins. Anode
BAT54AW = 42
or / oder KL2
1 = K1 2 = K2 3 = A1 / A2
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Katode
BAT54CW = 43
or / oder KL3
1 = A1 2 = A2 3 = K1 / K2
Double diode, series connect.
Doppeldiode, Reihenschaltung
BAT54SW = 44
or / oder KL4
1 = A1 2 = K2 3 = K1 / A2
1
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
相关型号：
BAT54SW-T1-LF
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
WTE
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