BAT54C [DIOTEC]
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes; 表面贴装肖特基势垒单/双二极管
| 型号： | BAT54C |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：88K) |
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BAT54 ...A ...C ...S
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-03-10
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW
30 V
2.9±0.1
3
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1.1
0.4
Type
Code
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
2
1
1.9
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAT54, BAT54A,
BAT54C, BAT54S
per diode / pro Diode
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
IFRM
200 mA 1)
300 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
IFSM
IFSM
1 A
8 A
tp ≤ 10 ms
tp ≤ 5 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
125°C
TS
- 55…+ 150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage - Durchlaßspannung 2)
IF = 0.1 mA VF
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 1000 mV
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 30 mA
VF
VF
VF
IF = 100 mA VF
Leakage current - Sperrstrom 2)
VR = 25 V
VR = 30 V
IR
IR
< 2 µA
< 3 µA
1
2
)
)
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1
Schottky-Diodes
BAT54 ...A ...C ...S
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction Capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 1 Vdc, f = 1 MHz
CT
10 pF
Reverse recovery time - Sperrverzug
trr
< 5 ns
10000 V/µs
420 K/W 1)
IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA
Critical rate of rise of voltage
Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
dv/dt
RthA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Outline – Gehäuse
Pinning – Anschlußbelegung
Marking – Stempelung
3
Single diode – Einzeldiode
1 = A 2 = n.c. 3 = K
BAT54 = L4
or / oder = KL1
1
1
1
1
2
2
2
2
3
3
3
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeins. Anode
BAT54A = L42
or / oder = KL2
1 = K1 2 = K2 3 = A1 / A2
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Katode
BAT54C = L43
or / oder = KL3
1 = A1 2 = A2 3 = K1 / K2
Double diode, series connect.
Doppeldiode, Reihenschaltung
BAT54S = L44
or / oder = KL4
1 = A1 2 = K2 3 = K1 / A2
1
)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
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