BAT46W [DIOTEC]
Surface Mount Schottky Barrier Diodes; 表面贴装肖特基势垒二极管
| 型号： | BAT46W |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Surface Mount Schottky Barrier Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：104K) |
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BAT46W
BAT46W
Surface Mount Schottky Barrier Diodes
Schottky-Barrier-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2009-10-29
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
100 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
2.7
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
SOD-123
0.01 g
0.6
0.1
Type
Code
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
3.8
Standard packaging taped and reeled
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAT46W
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
IFAV
IFRM
IFSM
200 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
150 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
350 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 10 ms
750 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
100 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+125°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 0.1 mA
IF = 10 mA
IF = 250 mA
VF
VF
VF
< 0.25 V
< 0.45 V
< 1 V
Leakage current – Sperrstrom 2)
Leakage current – Sperrstrom 2)
VR = 1.5 V
VR = 10 V
VR = 50 V
VR = 75 V
IR
IR
IR
IR
< 0.5 µA
< 0.8 µA
< 2 µA
< 5 µA
Tj = 60°C
f = 1 Mhz
VR = 1.5 V
VR = 10 V
VR = 50 V
VR = 75 V
IR
IR
IR
IR
< 5 µA
< 7.5 µA
< 15 µA
< 20 µA
Total capacitance
Gesamtkapazität
VR = 0 V
VR = 1 V
CT
CT
typ. 20 pF
typ. 12 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 420 K/W 1)
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAT46W
Marking – Stempelung
BAT46W = XH
1
120
[%]
[A]
100
10-1
10-2
80
Tj = 125°C
60
40
Tj = 25°C
10-3
IF
20
IFAV
0
10-4
VF
0
0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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