BAS21-AQ [DIOTEC]
SMD Small Signal Diodes;
| 型号： | BAS21-AQ |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | SMD Small Signal Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：151K) |
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BAS19 ... BAS21
Version 2019-01-07
BAS19 ... BAS21
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
IFAV = 200 mA
VF1 < 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 120...250 V
IFSM = 2.5 A
trr
< 50 ns
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles Schalten,
Gleichrichten
Commercial grade
Standardausführung
SOT-23
(TO-236)
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
+0.1
-0.2
2.9±0.1
1.1
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
0.4+-00..015
3
Type
Code
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
V
1
2
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
1.9±0.1
Taped and reeled
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Weight approx.
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Dimensions - Maße [mm]
Case material
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
BAS19, BAS20, BAS21/-Q/-AQ
3
Type
Code
HC
Single Diode
Einzeldiode
1
2
1 = A
2 = n. c./frei
3 = C
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation
Verlustleistung
Ptot
IFAV
IFRM
IFSM
250 mW 3)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
200 mA 3)
625 mA 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
0.5 A
2.5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAS19
BAS20
BAS21/-Q/-AQ
120 V
200 V
250 V
VRRM
Reverse voltage
Sperrspannung
BAS19
BAS20
BAS21/-Q/-AQ
100 V
150 V
200 V
VR
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
2
3
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS19 ... BAS21
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
100 mA
200 mA
< 1.0 V
< 1.25 V
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF =
VF
IR
1
)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
< 100 nA
< 100 µA
VR = VRRM
1
)
Reverse breakdown voltage
BAS19
BAS20
BAS21/-Q/-AQ
> 120 V
> 200 V
> 250 V
Sperrseitige Abbruchspannung
Tj = 25°C
IR = 100 µA
VBR
1
)
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
trr
< 5 pF
< 50 ns
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
420 K/W 2)
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
10-1
60
40
Tj = 25°C
10-2
IF
20
IFAV
0
10-3
VF
0
0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature2)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
BAS21-HE3-08
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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