BA159 [DIOTEC]
Fast Silicon Rectifiers; 快速矽整流器
| 型号： | BA159 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Fast Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：195K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
BA 157 … BA 159
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
400…1000 V
Plastic case
DO-41
Kunststoffgehäuse
DO-204AL
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspanng.
VRRM [V]
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspanng.
VRSM [V]
Typ. junction capacitance
Typ. Sperrschichtkapazität
Ctot [pF] 1)
BA 157
BA 158
BA 159
400
600
400
600
2.2
2.0
1.8
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
1 A 2)
10 A 2)
35 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
i2t
Tj
6 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
1
)
)
Measured at f = 1 Mhz, VR = 4.0 V – Gemessen bei f = 1 Mhz, VR = 4.0 V
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
104
28.02.2002
BA 157 … BA 159
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25ꢀC
IF = 1 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
Tj = 125ꢀC
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 ꢀA
< 100 ꢀA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 300 ns
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
105
相关型号：
BA159-E2
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
VISHAY
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明