AM2000 [DIOTEC]

Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes;
AM2000
型号: AM2000
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes

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AM2000  
AM2000  
IFAV = 1 A  
VF < 1.1 V  
trr ~ 1500 ns ERSM = 5 mJ  
VRRM = 1600 V  
IFSM = 40/44 A  
Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes  
Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden  
Version 2018-02-21  
Typical Applications  
Typische Anwendungen  
50/60 Hz Mains Rectification,  
Power Supplies, Polarity Protection  
Commercial grade 1)  
50/60 Hz Netzgleichrichtung,  
Stromversorgungen, Verpolschutz  
Standardausführung 1)  
~ DO-213AB  
Plastic MELF  
Features  
Besonderheiten  
Controlled Avalanche Charakteristik  
Hohe Leistungsfähigkeit  
Controlled avalanche characteristic  
High power dissipation  
High forward surge current  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Hohe Stoßstromfestigkeit  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
R
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Taped and reeled  
5000 / 13“  
0.12 g  
Gegurtet auf Rolle  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
Gehäusematerial  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte2)  
Type  
Typ  
DC blocking voltage  
Sperrgleichspannung  
VDC [V]  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Reverse avalanche breakdown voltage  
Sperrspannung im Durchbruch  
VRSM [V] 3)  
AM2000  
800  
1600  
> 1650  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TT = 75°C  
TT = 100°C  
1 A 3)  
IFAV  
0.8 A 3)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
t = 1 ms  
IFRM  
IFSM  
IFSM  
10 A 4)  
100 A  
TA = 85°C  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
40 A  
44 A  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral  
t < 10 ms  
i2t  
8 A2s  
Non-repetitive peak reverse avalanche energy  
Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung  
ERSM  
5 mJ 3)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
IRSM = 0.4 A, inductive load switch-off – IRSM = 0.4 A, Abschalten induktiver Last  
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
2
3
4
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
AM2000  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
Tj = 25°C  
IF = 1 A  
VF  
IR  
trr  
< 1.1 V  
Leakage current  
Sperrstrom  
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
< 5 µA  
< 50 µA  
VR = VRRM  
Reverse recovery time  
Sperrverzug  
IF = 0.5 A through/über  
IR = 1 A to IR = 0.25 A  
typ. 1500 ns  
Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung  
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss  
RthA  
RthT  
< 45 K/W 1)  
< 10 K/W  
102  
120  
[%]  
[A]  
100  
Tj = 125°C  
10  
80  
Tj = 25°C  
60  
40  
1
10-1  
IF  
20  
IFAV  
0
40a-(1a-1.1v)  
10-2  
0.4  
0.8 1.0 1.2 1.4  
1.8  
[V]  
VF  
0
TT  
100  
150  
50  
[°C]  
Rated forward current vs. temp. of the terminals  
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
102  
15  
Typical values  
Typische Werte  
Tj = 125°C  
[pF]  
[µA]  
101  
12  
Tj = 100°C  
Tj = 75°C  
Tj = 50°C  
9
1
6
Tj = 25°C  
10-1  
IR  
3
Cj  
0
Tj = 25°C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
10-2  
VRRM  
[%]  
100  
0
40  
60  
80  
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage  
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung  
Junction capacitance versus reverse voltage  
Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg.  
Disclaimer: See data book page 2 or website  
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet  
1
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG  
 

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