6.6SM8Z33A-Q [DIOTEC]
SMD Transient Voltage Suppresssor Diodes;
| 型号： | 6.6SM8Z33A-Q |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | SMD Transient Voltage Suppresssor Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：166K) |
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6.6SM8Z10A ... 6.6SM8Z43
6.6SM8Z10A ... 6.6SM8Z43
PPPM = 6600 W
PM(AV) = 8.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 10 ... 43 V
VBR = 11.1 ... 52.8 V
SMD Transient Voltage Suppresssor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2018-09-26
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
DO-218AB
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Freilauf-Dioden
Standardausführung
15.5±0.5
13.5±0.2
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Besonderheiten
6600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Unidirektionales Begrenzen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Peak pulse power of 6600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Unidirectional clamping
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
2.2±0.5
R
Type
Typ
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
9.0±0.3
Taped and reeled
750 / 13
2.9 g
10.0±0.3
Weight approx.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = VWM
Solder & assembly conditions
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
PPPM
6600 W
8 W
Steady state power dissipation on infinite heatsink
Verlustleistung im Dauerbetrieb auf unbegrenztem Kühlkörper
PM(AV)
TC = 25°C
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms) IFSM
700 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward
voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 100 A
VF
< 1.8 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht − Gehäuse
RthC
< 0.90 K/W 3)
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2
3
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
6.6SM8Z10A ... 6.6SM8Z43
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
Stand-off voltage Max. rev. current Max. rev. current
Sperrspannung Max. Sperrstrom Max. Sperrstrom
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung bei
at / bei IT = 5 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
at / bei VWM
at / bei VWM
6.6SM8Z...
10A/-Q
11A/-Q
12A/-Q
13A/-Q
14A/-Q
15A/-Q
16A/-Q
17A/-Q
18A/-Q
20A/-Q
22A/-Q
24A/-Q
26A/-Q
28A/-Q
30A/-Q
33A/-Q
36A/-Q
40A/-Q
43A/-Q
VWM [V]
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
ID [µA]
ID [µA] Tj = 175°C
VBR min [V]
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
VBR max [V]
VC [V]
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
IPPM [A]
388
363
332
307
284
270
254
239
226
204
186
170
157
145
136
124
114
102
95.1
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
120
[%]
tr = 10 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
IPPM/2
PPPM/2
40
40
IPP
IPP
20
PPP
0
20
PPP
tP
t
0
0
TA 50
100
150
[°C]
0
1
2
3
[ms] 4
1
Peak pulse power/current vs. ambient temperature)
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.)
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
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Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
2
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