20SQ045-3G [DIOTEC]
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation;型号: | 20SQ045-3G |
厂家: | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
描述: | Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation |
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20SQ045-3G
20SQ045-3G
IFAV
= 20 A
VRRM = 45 V
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
VF@5A < 0.43 V
Tjmax = 150°C
IFSM = 310/350 A
VF125 ~ 0.25 V @ 5 A
Version 2018-09-27
Ø 5.4 x 7.5
Typical Applications
Solar Bypass Diodes, Polarity
Typische Anwendungen
Solar-Bypassdioden,
Protection, Free-wheeling diodes,
Output Rectification in DC/DC
Converters
Verpolschutz, Freilaufdioden,
Ausgangsgleichrichtung in
Gleichstromwandlern
Commercial grade 1)
Standardausführung 1)
Ø 5.4±0.1
Features
Besonderheiten
Optimale Auswahl von VF und IR )
2
2
Best trade-off between VF and IR )
Much smaller package outline
than industry standard
Gehäusegröße sehr viel kleiner
als Industriestandard
Halogen
FREE
S
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
E
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Ø 1.2±0.05
Taped in ammo pack
500
Gegurtet in Ammo-Pack
On request: on 13” reel
1000
Auf Anfrage: auf 13” Rolle
Weight approx.
Case material
1.7 g
Gewicht ca.
UL 94V-0
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL N/A
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 3)
Grenzwerte 3)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
20SQ045-3G
45
45
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
TA = 50°C
IFAV
IFSM
i2t
20 A 4)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
310 A
350 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral
t < 10 ms
480 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Tj
-50...+150°C
2,5
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
≤ 200°C
)
Storage temperature
Lagerungstemperatur
TS
-50...+150°C
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3
4
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
5
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
20SQ045-3G
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
@ IF [A]
5
@ Tj
VF [V] @ IF [A] @ Tj
< 0.43
typ. 0.25
25°C
125°C
20SQ045-3G
< 0.55
20
25°C
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
< 200 µA
typ. 10 mA
VR = VRRM
VR = 4 V
IR
Cj
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität
720 pF
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
RthA
12 K/W 1)
2.5 K/W 2)
Typical thermal resistance junction to lead (at the case)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschlussdraht (am Gehäuse)
RthL
102
[A]
120
[%]
100
10
80
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
10-2
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
0
TA 50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
Tj = 150°C
Tj = 125°C
Tj = 100°C
[mA]
101
1
Tj = 75°C
Tj = 50°C
10-1
IR
Tj = 25°C
10-2
VRRM
[%]
100
0
40
60
80
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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