1N5403K [DIOTEC]

Silicon Rectifiers; 矽整流器
1N5403K
型号: 1N5403K
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Silicon Rectifiers
矽整流器

整流二极管
文件: 总2页 (文件大小:263K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
1N 5400 K … 1N 5408 K  
Silicon Rectifiers  
Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
3 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Ø 3±0.05  
Plastic case  
DO-15  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AC  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 0.8±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
1N 5400 K  
1N 5401 K  
1N 5402 K  
1N 5403 K  
1N 5404 K  
1N 5405 K  
1N 5406 K  
1N 5407 K  
1N 5408 K  
50  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
800  
1000  
50  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
800  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
3 A 1)  
20 A 1)  
100 A  
50 A2s  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
66  
28.02.2002  
1N 5400 K … 1N 5408 K  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+175C  
TS – 50…+175C  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage – Durchlaßspannung  
Leakage current – Sperrstrom  
Tj = 25C  
Tj = 25C  
IF = 3 A  
VF  
IR  
< 1.1 V  
< 10 A  
VR = VRRM  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 40 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
28.02.2002  
67  

相关型号:

1N5403TRLEADFREE

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
CENTRAL

1N5404

3.0 AMP SILICON RECTIFIERS
UNIOHM

1N5404

SILICON RECTIFIER DIODES
SYNSEMI

1N5404

LEADED (THRU-HOLE) General Purpose Rectifiers, 1 to 8 Amps
RFE

1N5404

3.0A STANDARD RECTIFIER
TAITRON

1N5404

3 Amp Rectifier 50 - 1000 Volts
MCC

1N5404

3.0 AMPS. SILICON RECTIFIERS
GOOD-ARK

1N5404

HIGH CURRENT PLASTIC SILICON RECTIFIER
PANJIT

1N5404

Standard silicon rectifier diodes
SEMIKRON

1N5404

SILICON RECTIFIER
RECTRON

1N5404

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
DCCOM

1N5404

3.0A Rectifier
COMCHIP