1N5400_13 [DIOTEC]
Silicon Rectifier Diodes . Silizium-Gleichrichterdioden; 硅整流二极管。 Silizium - Gleichrichterdioden
| 型号： | 1N5400_13 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Silicon Rectifier Diodes . Silizium-Gleichrichterdioden |
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1N5400 ... 1N5408
Version 2013-04-30
1N5400 ... 1N5408
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Nominal current
Nennstrom
3 A
50...1000 V
~ DO-201
0.8 g
Ø 4.5+0.1
-0.3
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N5400
1N5401
1N5402
1N5404
1N5406
1N5407
1N5408
50
100
200
400
600
800
1000
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
3 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
30 A 1)
180/200 A
166 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N5400 ... 1N5408
Characteristics
Kennwerte
< 1.2 V
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C IF = 3 A
Tj = 25°C VR = VRRM
VF
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
RthL
< 10 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
102
[A]
10
100
Tj =125°C
80
T =25°C
j
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
180a-(3a-1.2v)
10-2
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
103
[A]
102
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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