1N4934 [DIOTEC]

Fast Silicon Rectifiers; 快速矽整流器
1N4934
型号: 1N4934
厂家: DIOTEC SEMICONDUCTOR    DIOTEC SEMICONDUCTOR
描述:

Fast Silicon Rectifiers
快速矽整流器

整流二极管
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1N 4933 … 1N 4937  
Fast Silicon Rectifiers  
Schnelle Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
1 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…600 V  
Plastic case  
DO-41  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AL  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
VRRM [V]  
1N 4933  
1N 4934  
1N 4935  
1N 4936  
1N 4937  
50  
50  
100  
200  
400  
600  
100  
200  
400  
600  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 75C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
1 A 1)  
10 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
30 A  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
4.5 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150C  
TS – 50…+175C  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
106  
28.02.2002  
1N 4933 … 1N 4937  
Characteristics  
Kennwerte  
Forward voltage – Durchlaßspannung  
Leakage current – Sperrstrom  
Tj = 25C  
IF = 1 A  
VF  
< 1.2 V  
Tj = 25C  
Tj = 100C  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IR  
IR  
< 5 A  
< 100 A  
Reverse recovery time  
Sperrverzug  
IF = 0.5 A through/über  
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A  
trr  
< 200 ns  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Rated repetitive peak forward current versus pulse duration  
Zulässige periodische Impulsbelastung in Abh. von der Impulsdauer  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
107  
28.02.2002  

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