1N4934 [DIOTEC]
Fast Silicon Rectifiers; 快速矽整流器型号: | 1N4934 |
厂家: | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
描述: | Fast Silicon Rectifiers |
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1N 4933 … 1N 4937
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…600 V
Plastic case
DO-41
Kunststoffgehäuse
DO-204AL
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
VRRM [V]
1N 4933
1N 4934
1N 4935
1N 4936
1N 4937
50
50
100
200
400
600
100
200
400
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75ꢀC
f > 15 Hz
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
1 A 1)
10 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
4.5 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
106
28.02.2002
1N 4933 … 1N 4937
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25ꢀC
IF = 1 A
VF
< 1.2 V
Tj = 25ꢀC
Tj = 100ꢀC
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 ꢀA
< 100 ꢀA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 200 ns
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Rated repetitive peak forward current versus pulse duration
Zulässige periodische Impulsbelastung in Abh. von der Impulsdauer
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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