V8PM63HM3/H
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier
暂无信息
VISHAY
BGA8U1BN6
BGA8U1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器,覆盖 4.0 Ghz 至 6.0 Ghz 的宽频率范围。在应用配置中,LNA 在 4.5mA 的电流消耗下提供 13.7 dB 增益和 1.6 dB 噪声系数。在旁路模式下,LNA 提供 -7.5 dB 的插入损耗。
放大器 LTE
INFINEON
KYOCERA AVX
AMPHENOL
SAMTEC
WALSIN
VISHAY
MSYSTEM
GLENAIR
ITT
MICROSEMI
YAGEO
ECLIPTEK
ABRACON
MOLEX
VICOR
KEMET
MTRONPTI
TI
PANASONIC
CTS
SCHURTER
KNOWLES
MURATA
TE
TOREX
SILICON
BOURNS
GOLLEDGE
STMICROELECTRONICS
RCD
BEL
NXP
MICROCHIP
TDK
KOA
INFINEON
FOXCONN
EUROQUARTZ
MAXIM
LITTELFUSE
VCC
RENESAS
CDE
IDT
AVAGO
HONEYWELL
ONSEMI
FH
NICHICON
APITECH
ROHM
EPCOS
AGILENT
GRAYHILL
ADI
Carling Technologies
RICOH