元器件型号: | CY14B104LA-BA25XIT |
生产厂家: | CYPRESS SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times |
PDF文件: | 总25页 (文件大小:925K) |
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型号参数:CY14B104LA-BA25XIT参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数 | 48 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 5.28 |
最长访问时间 | 25 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 10 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 48 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.005 A |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.75 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 6 mm |
Base Number Matches | 1 |
4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times
4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间