CY14B104LA-BA25XIT [CYPRESS]

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times; 4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间
CY14B104LA-BA25XIT
元器件型号: CY14B104LA-BA25XIT
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times
4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间

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型号参数:CY14B104LA-BA25XIT参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.28
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.005 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度6 mm
Base Number Matches1