CY14B101Q2-LHXI [CYPRESS]

1 Mbit (128 K x 8) Serial SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles; 1兆位( 128千×8 )串行SPI的nvSRAM无限的读,写和RECALL周期
CY14B101Q2-LHXI
元器件型号: CY14B101Q2-LHXI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1 Mbit (128 K x 8) Serial SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
1兆位( 128千×8 )串行SPI的nvSRAM无限的读,写和RECALL周期

存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
PDF文件: 总26页 (文件大小:1161K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:CY14B101Q2-LHXI参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
零件包装代码DFN
包装说明HVSON, SOLCC8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
Factory Lead Time1 week
风险等级1.37
Is SamacsysN
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度6 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
最大待机电流0.005 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度5 mm
Base Number Matches1