元器件型号: | CY14B101Q1A-SXI |
生产厂家: | CYPRESS SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | 1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C |
PDF文件: | 总34页 (文件大小:1095K) |
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型号参数:CY14B101Q1A-SXI参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time | 1 week |
风险等级 | 5.63 |
Is Samacsys | N |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.889 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.727 mm |
最大待机电流 | 0.00015 A |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 3.8985 mm |
Base Number Matches | 1 |
1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C
1兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下