CY14B101KA-SP45XIT [CYPRESS]

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM with Real Time Clock; 1兆位( 128K ×8 / 64K ×16 )的nvSRAM与实时时钟
CY14B101KA-SP45XIT
元器件型号: CY14B101KA-SP45XIT
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM with Real Time Clock
1兆位( 128K ×8 / 64K ×16 )的nvSRAM与实时时钟

静态存储器 时钟
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型号参数:CY14B101KA-SP45XIT参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
零件包装代码SSOP
包装说明SSOP, SSOP48,.4
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.24
最长访问时间45 ns
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e4
长度15.875 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装等效代码SSOP48,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.794 mm
最大待机电流0.005 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.052 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.5057 mm
Base Number Matches1