元器件型号: | CY10E422L-5DC |
生产厂家: | CYPRESS SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Standard SRAM, 256X4, 5ns, ECL10K, CDIP24, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24 CD 静态存储器 内存集成电路 |
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型号参数:CY10E422L-5DC参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 5.83 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 5 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 1024 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
负电源额定电压 | -5.2 V |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 75 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256X4 |
输出特性 | OPEN-EMITTER |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | -5.2 V |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.15 mA |
表面贴装 | NO |
技术 | ECL10K |
温度等级 | COMMERCIAL EXTENDED |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
Standard SRAM, 256X4, 5ns, ECL10K, CDIP24, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERDIP-24
CD 静态存储器 内存集成电路