CPD82X-CMDSH2-3-WN [CENTRAL]
Rectifier Diode,;
| 型号： | CPD82X-CMDSH2-3-WN |
| 厂家： | 
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 描述： | Rectifier Diode, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：397K) |
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PROCESS CPD82X
Schottky Diode
High Current, Low V Schottky Diode Chip
F
PROCESS DETAILS
Process
EPITAXIAL PLANAR
Die Size
14.6 x 14.6 MILS
5.5 MILS
Die Thickness
Anode Bonding pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
11.8 x 11.8 MILS
Al - 30,000Å
Au - 12,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER
80,282
PRINCIPAL DEVICE TYPES
CMDSH2-3
CMDSH2-4L
CMOSH2-4L
CMUSH2-4L
CMKSH2-4L
CMXSH2-4L
R2 (22-March 2010)
www.centralsemi.com
PROCESS CPD82X
Typical Electrical Characteristics
R2 (22-March 2010)
www.centralsemi.com
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