CPD65-BAV45-WN [CENTRAL]
Rectifier Diode,;
| 型号： | CPD65-BAV45-WN |
| 厂家： | 
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 描述： | Rectifier Diode, |
| 文件： | 总2页 (文件大小：721K) |
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PROCESS CPD65
Low Leakage Diode
Picoampere Diode Chip
PROCESS DETAILS
Process
EPITAXIAL PLANAR
11.8 x 11.8 MILS
8.0 MILS
Die Size
Die Thickness
Anode Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
2.35 MILS DIAMETER
Al - 15,000Å
Au - 18,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER
65,000
PRINCIPAL DEVICE TYPES
BAV45
R5 (22-March 2010)
www.centralsemi.com
PROCESS CPD65
Typical Electrical Characteristics
R5 (22-March 2010)
www.centralsemi.com
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