概述
规格参数
数据手册CP591-2N2907A-WS 概述
Transistor 其他晶体管
CP591-2N2907A-WS 规格参数
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Base Number Matches： | 1 |
CP591-2N2907A-WS 数据手册
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PROCESS CP591
Small Signal Transistor
PNP - Amp/Switch Transistor Chip
Central
Semiconductor Corp.
PROCESS DETAILS
Process
EPITAXIAL PLANAR
Die Size
Die Thickness
19 x 19 MILS
9.0 MILS
Base Bonding Pad Area
Emitter Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
3.5 x 4.3 MILS
3.5 x 4.5 MILS
Al - 30,000Å
Au - 18,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER
30,600
PRINCIPAL DEVICE TYPES
2N2905A
2N2907A
CMPT2907A
CMST2907A
CXT2907A
CZT2907A
PN2907A
BACKSIDE COLLECTOR
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
R3 (1-August 2002)
TM
PROCESS CP591
Central
Typical Electrical Characteristics
Semiconductor Corp.
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
R3 (1-August 2002)
www.centralsemi.com
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