SB5312-H(B) [AUK]
High Brightness LED Lamp; 高亮度LED灯
| 型号： | SB5312-H(B) |
| 厂家： | 
AUK CORP |
| 描述： | High Brightness LED Lamp |
| 文件： | 总4页 (文件大小：245K) |
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SB5312-H / SB5312-H(B)
Semiconductor
High Brightness LED Lamp
Features
• Colorless transparency lens type
• φ5mm(T-13/4) all plastic mold type
• High luminosity
Outline Dimensions
unit : mm
STRAIGHT TYPE
STOPPER TYPE
0.2
4.8±
0.2
4.8±
0.2
0.2
9.0±
9.0±
0.2
0.2
1.2±
1.2±
3.8±0.5
0.5
0.5
23.0 MIN
23.0 MIN
1.0 MIN
2.54 NOM
1.0 MIN
2.54 NOM
0.2
5.8±
0.2
5.8±
1
2
1
2
PIN Connections
1.Anode
2.Cathode
KLB-0005-000
1
Absolute maximum ratings
Characteristic
Symbol
PD
Ratings
Unit
mW
mA
mA
V
Power Dissipation
85
Forward Current
*1Peak Forward Current
IF
20
IFP
50
Reverse Voltage
VR
4
-25∼85
℃
Operating Temperature
Storage Temperature
*2Soldering Temperature
Topr
Tstg
Tsol
-30∼100
℃
260℃ for 5 seconds
*1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms
*2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package
Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol
Test Condition
IF= 10mA
IF= 10mA
IF= 10mA
IF= 10mA
VR=4V
Min. Typ. Max. Unit
Forward Voltage
VF
-
3.4
700
468
26
4.0
V
Luminous Intensity
Peak Wavelength
Spectrum Bandwidth
Reverse Current
*3Half angle
IV
300
-
mcd
nm
nm
uA
-
-
-
-
-
λP
Δ λ
-
-
10
-
I
R
IF= 10mA
±8
deg
θ1/2
*3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity
KLB-0005-000
2
Characteristic Diagrams
Fig. 1 IF - VF
Fig. 2 IV - IF
Forward Voltage VF [V]
Forward Current IF [mA]
Fig. 3 IF – Ta
Fig.4 Spectrum Distribution
Wavelength λ [nm]
Ambient Temperature Ta [℃]
Fig. 5 Radiation Diagram
Relative Luminous Intensity Iv [%]
KLB-0005-000
3
■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항
1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로
되어 있어 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면
제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생
2. ESD 발생 원리 및 대치 방법
2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든
물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어
중성의 상태를 위지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에
의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고
(+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨.
※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등
※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등
※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등
2-2. 대전 방지 및 제거 방법
① 가습
-. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜
표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다.
상대 습도는 80%가 적당하다.
※ 습도에 따른 대전전위의 변화
대전물
상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%)
Table 작업을 행하는 경우
비닐 포장 자재
폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우
6[KV]
7[KV]
20[KV]
0.1[KV]
0.6[KV]
1.2[KV]
② 대전 방지제 사용
-. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가
시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려
③ 대전 방지용품 착용
-. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 :
Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등
-. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는
제품 : Conductive Floor Mat
※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한
불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다.
KLB-0005-000
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相关型号：
SB540
HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 5.0 Amperes)
PANJIT
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