AM29LV800BB70RFEB [AMD]

8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory; 8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
AM29LV800BB70RFEB
元器件型号: AM29LV800BB70RFEB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存

闪存 内存集成电路 光电二极管
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型号参数:AM29LV800BB70RFEB参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码BGA
包装说明6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.32
最长访问时间70 ns
其他特性CONFG AS 512K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度9 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型NOR TYPE
宽度6 mm
Base Number Matches1