AM29LV640DU101RPCIN [AMD]

64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control; 64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体与VersatileI控制
AM29LV640DU101RPCIN
元器件型号: AM29LV640DU101RPCIN
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control
64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体与VersatileI控制

闪存 内存集成电路
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型号参数:AM29LV640DU101RPCIN参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商SPANSION INC
零件包装代码BGA
包装说明12 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.74
Is SamacsysN
最长访问时间100 ns
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模128
端子数量63
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2/2.5,3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模32K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11 mm
Base Number Matches1