AM29LV400B-120FE [AMD]

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory; 4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
AM29LV400B-120FE
元器件型号: AM29LV400B-120FE
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
4兆位( 512K的×8位/ 256千×16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存

闪存
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型号参数:AM29LV400B-120FE参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,32
针数48
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.42
最长访问时间120 ns
备用内存宽度16
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm
Base Number Matches1