元器件型号: | AM29LV160BT80RFEB |
生产厂家: | ADVANCED MICRO DEVICES |
描述和应用: | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
PDF文件: | 总46页 (文件大小:606K) |
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型号参数:AM29LV160BT80RFEB参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | BGA, BGA48,6X8,32 |
针数 | 48 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 5.45 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 80 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 1M X 16; 1000K WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION 20 YEARS |
备用内存宽度 | 8 |
启动块 | TOP |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
数据保留时间-最小值 | 20 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,2,1,31 |
端子数量 | 48 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA48,6X8,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流 | 0.000005 A |
子类别 | Flash Memories |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
Base Number Matches | 1 |
16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存