AM29LV160BT80RFEB [AMD]

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory; 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
AM29LV160BT80RFEB
元器件型号: AM29LV160BT80RFEB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存

闪存
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型号参数:AM29LV160BT80RFEB参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商ADVANCED MICRO DEVICES INC
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA48,6X8,32
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.45
Is SamacsysN
最长访问时间80 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 1M X 16; 1000K WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION 20 YEARS
备用内存宽度8
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
Base Number Matches1