AM29LV160BB90EEB [AMD]

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory; 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
AM29LV160BB90EEB
元器件型号: AM29LV160BB90EEB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存

闪存 内存集成电路 光电二极管
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型号参数:AM29LV160BB90EEB参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商SPANSION INC
零件包装代码BGA
包装说明8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.62
最长访问时间90 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度9 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1