AM29LV004B-150EEB [AMD]

4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory; 4兆位( 512K的×8位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
AM29LV004B-150EEB
元器件型号: AM29LV004B-150EEB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
4兆位( 512K的×8位) CMOS 3.0伏只引导扇区闪存

闪存
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型号参数:AM29LV004B-150EEB参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商SPANSION INC
零件包装代码TSOP
包装说明REVERSE, TSOP-40
针数40
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.84
最长访问时间150 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
类型NOR TYPE
宽度10 mm