AM29F400AB-90EIB [AMD]

4 Megabit (524,288 x 8-Bit/262,144 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory; 4兆位( 524,288 ×8位/ 262,144 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存
AM29F400AB-90EIB
元器件型号: AM29F400AB-90EIB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

4 Megabit (524,288 x 8-Bit/262,144 x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
4兆位( 524,288 ×8位/ 262,144 x 16位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存

闪存
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型号参数:AM29F400AB-90EIB参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码SOIC
包装说明SOP-44
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.27
最长访问时间90 ns
其他特性100K WRITE/ERASE CYCLES MIN; CONFIGURABLE AS 256K X 16
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e3
长度28.2 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.8 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
Base Number Matches1