AM29F200AB-70FCB [AMD]

2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory; 2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位) CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存
AM29F200AB-70FCB
元器件型号: AM29F200AB-70FCB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位) CMOS 5.0伏只,引导扇区闪存

闪存
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型号参数:AM29F200AB-70FCB参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商SPANSION INC
零件包装代码SOIC
包装说明SOP-44
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.67
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.2 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度2.8 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
Base Number Matches1