AM29F040-70EEB [AMD]

4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory; 4兆位( 524,288 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存
AM29F040-70EEB
元器件型号: AM29F040-70EEB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
4兆位( 524,288 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存

闪存
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型号参数:AM29F040-70EEB参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商ADVANCED MICRO DEVICES INC
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.45
最长访问时间70 ns
其他特性BULK ERASE; AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码R-PDIP-T32
长度42.164 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度15.24 mm