AM29F040-150JEB [AMD]

4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory; 4兆位( 524,288 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存
AM29F040-150JEB
元器件型号: AM29F040-150JEB
生产厂家: ADVANCED MICRO DEVICES    ADVANCED MICRO DEVICES
描述和应用:

4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory
4兆位( 524,288 ×8位) CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存

闪存 内存集成电路
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型号参数:AM29F040-150JEB参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.74
Is SamacsysN
最长访问时间150 ns
其他特性100K WRITE/ERASE CYCLES MIN
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
长度42.164 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.715 mm
部门规模64K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度15.24 mm
Base Number Matches1